基本半导体隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门极驱动芯片，输出拉灌峰值电流典型值4A/6A，绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装；抗干扰能力强，高达100V/ns；低传输延时至45ns；分别提供 3 种管脚配置：BTD21520M提供禁用管脚（DIS）和死区设置（DT）,BTD21520S提供禁用管脚（DIS)， BTD21520E 提供单一PWM输入；副边VDD欠压保护点两种可选：分别是5.7V和8.2V。主要规格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款单通道隔离门极驱动IC，输出峰值电流典型值10A, 绝缘电压高达5000Vrms@SOW8封装，3000Vrms@SOP8封装；抗干扰能力强，高达100V/ns；传输延时低至60ns；分别提供 3 种管脚配置：BTD5350M 提供门极米勒钳位功能，BTD5350S 提供独立的开通和关断输出管脚，BTD5350E 对副边的正电源配置欠压保护功能；副边VCC欠压保护点两种可选：分别是8V和11V。主要规格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款单通道智能隔离门极驱动芯片，采用磁隔离技术；绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装；输出峰值电流典型值15A；管脚功能集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能，集成原副边电源欠压保护；集成副边电源稳压器功能，此稳压器可以根据副边电源输入电压，使驱动管脚自动分配正负压，适用在给电压等级1200V以内的IGBT或者碳化硅 MOSFET驱动。BTL2752x 系列是一款双通道、高速、低边门极驱动器，输出侧采用轨到轨方式；拉电流与灌电流能力可高达 5A，上升和下降时间低至 7ns 与 6ns；芯片的两个通道可并联使用，以增强驱动电流能力；信号输入脚最大可抗-5V的持续负压，支持4个标准逻辑选项：BTL27523带使能双路反相，BTL27523B不带使能双路反相 和 BTL27524带使能双路同相，BTL27524B不带使能双路同相。主要规格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR
专业分销基本半导体全碳化硅MOSFET模块，Easy封装全碳化硅MOSFET模块，62mm封装全碳化硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于超级充电桩，V2G充电桩，高压柔性直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车辅助电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等. 光伏逆变器专用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳化硅MOSFET模块，光储碳化硅MOSFET。专业分销基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块及分立器件，全力支持中国电力电子工业发展！
基本半导体再度亮相全球功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制，双向 AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ，双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。SiC MOSFET越来越多地用于高压电源转换器，因为它们可以满足这些应用对尺寸、重量和/或效率的严格要求.
碳化硅 (SiC) MOSFET功率半导体技术代表了电力电子领域的根本性变革。SiC MOSFET 的价格比 Si MOSFET 或 Si IGBT 贵。然而，在评估碳化硅 (SiC) MOSFET提供的整体电力电子系统价值时，需要考虑整个电力电子系统和节能潜力。需要仔细考虑以下电力电子系统节省： 第一降低无源元件成本，无源功率元件的成本在总体BOM成本中占主导地位。提高开关频率提供了一种减小这些器件的尺寸和成本的方法。 第二降低散热要求，使用碳化硅 (SiC) MOSFET可显着降低散热器温度高达 50%，从而缩小散热器尺寸和/或消除风扇，从而降低设备生命周期内的能源成本。 通常的诱惑是在计算价值主张时仅考虑系统的组件和制造成本。在考虑碳化硅 (SiC) MOSFET的在电力电子系统里的价值时，考虑节能非常重要。在电力电子设备的整个生命周期内节省能源成本是碳化硅 (SiC) MOSFET价值主张的一个重要部分。